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更新时间:2026-10-29
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在半导体CVD、ALD、薄膜沉积、晶体生长等真空工艺中,下游压力控制直接决定薄膜均匀性、沉积速率和工艺重复性。传统真空控制阀常面临几个问题:响应速度慢,设定压力变化后阀板动作滞后,导致工艺窗口漂移;在含颗粒气流和碎片堆积的严苛下游环境中,阀板和传动机构容易卡滞或磨损;压力控制精度不足,难以在1×10⁻⁸ mbar至1.2 bar的宽范围内保持稳定。更棘手的是,CVD和ALD工艺对压力控制的精细度要求高,阀板位置需要快速、**地调整以改变阀门开启的导电率。如何在宽压力范围、高颗粒负载和频繁动作条件下实现快速**的下游压力控制,成为真空控制阀选型的核心问题

61.3 HV蝶式控制阀提供了**的压力控制性能。凭借其快速且**的动作控制器(0.1秒),它是CVD和ALD工艺中精细控制的**解决方案。该板起节流元件的作用,改变阀门开启的导电率。61.3的集成压力控制器计算出所需的板材位置,以尽快达到设定压力。
核心性能与设计要点
61.3定位清晰:蝶式控制阀、0.1秒快速动作、1×10⁻⁸ mbar至1.2 bar压力范围、200万次压力控制、高颗粒负载可靠运行。其核心性能与设计信息如下:
压力范围:1×10⁻⁸ mbar至1.2 bar(abs)。
动作速度:0.1秒快速**动作控制器。
尺寸:DN 25(1英寸)至DN 320(12英寸),共10种口径。
执行器:带步进电机的集成控制器。
阀体材质:铝或不锈钢。
标准法兰:ISO-KF、ISO-F;可集成客户专用法兰。
泄漏率阀体:铝<1×10⁻⁹ mbar·l/s;不锈钢<1×10⁻⁹ mbar·l/s。
压力控制循环:2百万次(**维护前)。
温度:阀体≤150°C;控制器*大50°C(建议≤35°C)。
材质:阀体、板为铝EN AW-6082(3.2315)或不锈钢AISI 316L(1.4404或1.4435);轴为AISI 316L;密封馈通为FKM(其他按需)。
馈通:旋转轴,直接驱动。
安装位置:任意(建议轴在泵侧)。
*大压差:板上1000 mbar(DN 25),75 mbar(DN 320)。
导电率:分子流22 l/s(DN 25),27000 l/s(DN 320)。
*小可控导电率:分子流0.15 l/s(DN 25),6 l/s(DN 320)。
典型关闭或开启时间(“仅位置"版本):铝/不锈钢0.09秒(DN 25),0.29秒(DN 320)。
重量:铝阀2.0kg(DN 25)至10.4kg(DN 320);不锈钢阀2.5kg(DN 25)至12.3kg(DN 320)。
设计选项:车体材料、表面处理、弹性体、法兰连接、特殊尺寸、特殊控制算法(自适应、固定PI下游/软泵)。
控制接口:Logic(A/D)、Profibus、RS232、RS485、CC-Link、DeviceNet、EtherCAT等。
应用:CVD、ALD、薄膜沉积、晶体生长、太阳能薄膜沉积、照明薄膜沉积、薄膜封装、电池生产、OLED喷墨打印、照明蚀刻、过程控制与隔离。
产品型号:61.3系列。
0.1秒快速动作与集成压力控制
61.3的核心优势之一,是0.1秒快速**动作控制器。蝶板作为节流元件,改变阀门开启的导电率。集成压力控制器计算出所需板材位置,以尽快达到设定压力。对于CVD和ALD工艺,快速响应减少了设定压力变化后的工艺波动,提升了薄膜均匀性和工艺重复性。
“仅位置"版本的典型关闭或开启时间为0.09秒(DN 25)至0.29秒(DN 320),进一步体现了快速动作能力。
高颗粒负载与可靠运行
61.3特别设计用于气流中颗粒的严苛下游过程。尽管设计上存在高颗粒载荷和碎片堆积,61.3仍保持全功能运行。对于CVD、ALD和薄膜沉积中可能产生颗粒的工艺,这一设计减少了阀板卡滞和停机维护。
61.3系列已在数千个高要求的应用中安装,在各种工艺条件下取得了**的可靠性。
宽压力范围与多口径覆盖
61.3的压力范围覆盖1×10⁻⁸ mbar至1.2 bar(abs),适应从高真空到接近大气压的宽范围。尺寸从DN 25至DN 320共10种口径,导电率从22 l/s(DN 25)至27000 l/s(DN 320),*小可控导电率从0.15 l/s至6 l/s,覆盖从小型工艺腔体到大型真空系统的需求。
设计选项与控制接口
61.3提供车体材料、表面处理、弹性体、法兰连接、特殊尺寸以及特殊控制算法(自适应、固定PI下游/软泵)等多种设计选项。控制接口包括Logic(A/D)、Profibus、RS232、RS485、CC-Link、DeviceNet、EtherCAT等,便于集成到不同真空控制系统。
阀体材质可选铝或不锈钢,标准法兰为ISO-KF和ISO-F,可集成客户专用法兰和带保温层的集成加热器。FFKM/FKM弹性体可按需提供。
面向CVD/ALD下游压力控制的选型路径
从0.1秒快速动作、1×10⁻⁸ mbar至1.2 bar压力范围、DN 25至DN 320共10种口径、带步进电机集成控制器、铝/不锈钢阀体、ISO-KF/ISO-F法兰、<1×10⁻⁹ mbar·l/s泄漏率、200万次压力控制循环、阀体≤150°C、高颗粒负载可靠运行、多种控制接口和特殊控制算法,到适用于CVD、ALD、薄膜沉积、晶体生长、电池生产等场景,VAT 61.3 HV蝶式控制阀并不是普通真空控制阀的简单替代,而是围绕快速**下游压力控制、高颗粒负载可靠性和宽范围适配需求的系统性方案。
对于CVD、ALD、薄膜沉积、晶体生长、电池生产等领域的终端用户和OEM而言,61.3用0.1秒快速动作、集成压力控制、高颗粒负载可靠运行和宽压力范围,为真空工艺下游压力控制提供了清晰答案。
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